三星 2nm 工艺相较 3nm 能效提升 8%，Exynos 2600 率先采用

据Dailian报道，三星在其第三季度财报中披露，其第一代2纳米全环绕栅极（Gate-All-Around,GAA）制程相较于第二代3纳米技术有了显著提升：性能提升5%，能效提升8%；芯片面积更缩减了5%，表现颇为亮眼。近年来，三星晶圆代工部门持续面临行业龙头、同时也是主要竞争对手台积电（TSMC）的激烈竞争。根据2025年第二季度数据，台积电在全球晶圆代工市场所占份额已超70%。不过，行业分析人士普遍认为，向2纳米技术的过渡有望为三星缩小与台积电的差距创造契机。据亚汇网了解，三星与台积电均在2纳米节点采用GAA架构，但两者技术路径存在差异：台积电系首次在2纳米节点引入GAA，而三星早在其上一代3纳米制程中已率先应用该架构。这意味着三星在GAA技术上已积累了一代量产经验，或具备一定先发优势。其实际竞争力如何，尚待搭载Exynos2600芯片的GalaxyS26手机正式上市并接受市场检验后方能揭晓。关键仍然在于良率，通常认为60%以上的良率适合量产。台积电在2纳米工艺上实现了约80%的良率，被认为已进入稳定量产阶段。据悉，三星电子已将良率提升至50%~60%的水平。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。