英特尔 EMIB-T 为 HBM4 / UCIe 优化，2028 年有望单封装集成超 24 颗 HBM

英特尔在活动上公布了EMIB技术的新变体——EMIB-T，其中T指的应是TSV硅通孔；此外还有分别采用RDL重布线层和Bridge桥片的Foveros-R、Foveros-B封装。▲图源AndreasSchilling这一面向HBM4、UCIe芯片集成的工艺通过TSV和MBridge技术在基板中构建垂直的电力通道，而不会像传统方案一样需要“绕路”。这意味着EMIB-T可实现更低的直流/交流电噪声，有利于信号传输的稳定性。英特尔表示EMIB-T支持从其它2.5D先进封装技术迁移，同时这一过程无需重大重新设计。▲图源AndreasSchilling对于未来的EMIB，英特尔预告其到2026年可通过超过20个EMIB桥实现约120mm×120mm的总封装尺寸，集成12个HBM内存堆栈；而到2028年，封装尺寸将进一步扩展到120mm×180mm，HBM数量将超过24个。▲图源AndreasSchilling广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。