损耗可减少近 50%，安森美宣布出样垂直氮化镓功率半导体

安森美表示，vGaN功率半导体可降低能量损耗和热量，损耗减少近50%，助力AI数据中心、电动汽车、可再生能源、航空航天等领域的未来发展。安森美的vGaN的垂直氮化镓技术采用单芯片设计，可应对1200V及以上高压；与目前市售的横向GaN器件相比，垂直氮化镓器件的体积约为其三分之一；而工作频率的提升意味着电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。亚汇网了解到，安森美目前已向早期客户提供700V和1200V器件样品。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。